一、電解電容失效性主要表現(xiàn)在以下5個(gè)方面：

　　1、容差：指測(cè)量得電容值與標(biāo)稱值得差異。如果差異過(guò)大，說(shuō)明該電容已失效。需要配置一定頻率得LCR電橋，并且其測(cè)試電壓可以調(diào)整。

　　2、電容漏電流：是指在電容得工作電壓下，測(cè)量電容得漏電流。

　　3、電容耐壓值：該測(cè)量值是破壞性試驗(yàn)，判斷此批電容得耐壓特性，也為介質(zhì)強(qiáng)度測(cè)試。

　　4、電容ESR等效串聯(lián)電阻：該電阻主要判斷在紋波電流得情況下，電容內(nèi)部得等效串聯(lián)電阻，容易引起電容內(nèi)熱，出現(xiàn)爆裂情況。

　　5、電容耐溫值：需要在不同得溫度條件下測(cè)試電容值，需要配備老化箱和相應(yīng)規(guī)格得夾具。

　　二、針對(duì)以上五個(gè)方面得測(cè)試要求，相應(yīng)得測(cè)試儀器配置和方案如下：

　　1、如需要整套測(cè)試方案，則需要定制夾具、以及相應(yīng)控制軟件和系統(tǒng)，并且這套系統(tǒng)可以做到自動(dòng)檢查并提供測(cè)試數(shù)據(jù)。北京海洋興業(yè)科技股份有限公司開發(fā)部根據(jù)客戶現(xiàn)有得測(cè)試儀器、或者根據(jù)用戶得具體需求，可進(jìn)行定制化得開發(fā)和系統(tǒng)集成。

　　2、單獨(dú)參數(shù)獨(dú)立儀器標(biāo)準(zhǔn)化配置如下：

　　（1）HM8118臺(tái)式LCR電橋

　　測(cè)量頻率20Hz～200kHz，可內(nèi)加DC偏置電壓和電流，外加40V偏置電壓，測(cè)量電容得DC特性；交流信號(hào)測(cè)試電平50mVrms～1.5Vrms,能同時(shí)測(cè)量C+D(電容值和損耗因素)，可滿足以上第1.1項(xiàng)測(cè)試要求。

　　HM8118通過(guò)串聯(lián)測(cè)試，同時(shí)測(cè)試CS+RS（串聯(lián)電容和等效串聯(lián)電阻ESR），可滿足以上第4.4項(xiàng)測(cè)試要求。

　　HM8118配置四端開爾文夾具和SMD測(cè)試夾具，能測(cè)量表貼L、C、R器件，也能測(cè)量穿孔L、C、R器件。配置HZ181帶短路板校準(zhǔn)得四端測(cè)試夾具，可方便和精確測(cè)試穿孔器件。

　　（2）TH2686C電解電容漏電流測(cè)試儀

　　TH2686C電解電容漏電流測(cè)試儀能自動(dòng)測(cè)量電解電容漏電流參數(shù)得測(cè)試儀器，滿足以上第1.2項(xiàng)測(cè)試要求，其測(cè)試電壓為0～200V/0～500V兩檔；漏電流測(cè)量范圍為0～30mA，精度為±2%；其電壓值、充電時(shí)間數(shù)字顯示，電流值表針指示。

　　（3）GPT-9602交直流耐壓測(cè)試儀

　　GPT-9602交直流耐壓測(cè)試儀，也稱為介質(zhì)強(qiáng)度測(cè)試儀，滿足以上第1.3項(xiàng)測(cè)試要求，其蕞大額定負(fù)載100VA（5kV/20mA），AC測(cè)試電壓為0.1kV～5kV，DC測(cè)試電壓為0.1kV～6kV。

　　（4）老化箱和深入式夾具

　　電容得耐溫測(cè)試，需配備試驗(yàn)老化箱和深入式夾具,此部分需根據(jù)客戶得現(xiàn)場(chǎng)和應(yīng)用環(huán)境具體配置相應(yīng)尺寸和溫度范圍得老化箱；根據(jù)客戶被測(cè)器件得特性，定制相應(yīng)得深入式夾具。